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首页 全部分类 IXTP50N085T vs BUK7523-75A,127

IXTP50N085T备选型号: BUK7523-75A,127

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  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 表面安装
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • IXYS
    IXTP50N085T
    IXYS
    MOSFET N-CH 85V 50A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchMV™
    2006
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    130W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    23m Ω @ 25A, 10V
    4V @ 25μA
    1460pF @ 25V
    34nC @ 10V
    32ns
    ±20V
    33 ns
    50A
    TO-220AB
    0.023Ohm
    85V
    130A
    250 mJ
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    BUK7523-75A,127
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 75V 53A TO220AB
    -
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    53A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchMOS™
    1997
    e3
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    -
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    23m Ω @ 25A, 10V
    4V @ 1mA
    2385pF @ 25V
    -
    -
    ±20V
    -
    -
    TO-220AB
    0.023Ohm
    -
    213A
    120 mJ
    ROHS3 Compliant
    NO
    8541.29.00.75
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    75V
    53A
    75V
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