Infineon Technologies IRF3710PBF

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

45 ns

Power Dissipation (Max)

200W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

57A Tc

系列

HEXFET®

已出版

2004

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

电阻

23MOhm

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE

电压 - 额定直流

100V

额定电流

57A

螺纹距离

2.54mm

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

200W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

23m Ω @ 28A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3130pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

130nC @ 10V

上升时间

58ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

47 ns

连续放电电流(ID)

57A

阈值电压

4V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

100V

双电源电压

100V

雪崩能量等级（Eas）

280 mJ

恢复时间

220 ns

最大结点温度（Tj）

175°C

栅源电压

4 V

宽度

4.69mm

长度

10.54mm

高度

19.8mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅