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首页 全部分类 IXTP52P10P vs IPP126N10N3GXKSA1

IXTP52P10P备选型号: IPP126N10N3GXKSA1

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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 端子位置
  • 配置
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • IXYS
    IXTP52P10P
    IXYS
    MOSFET P-CH 100V 52A TO-220
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    52A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PolarP™
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    PURE TIN
    雪崩 额定
    未说明
    unknown
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    50m Ω @ 500mA, 10V
    4.5V @ 250μA
    2845pF @ 25V
    60nC @ 10V
    29ns
    100V
    ±20V
    22 ns
    52A
    TO-220AB
    20V
    0.05Ohm
    -100V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP126N10N3GXKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 58A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    58A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2008
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    未说明
    -
    未说明
    3
    -
    不合格
    -
    增强型MOSFET
    94W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    12.3m Ω @ 46A, 10V
    3.5V @ 46μA
    2500pF @ 50V
    35nC @ 10V
    8ns
    -
    ±20V
    5 ns
    58A
    TO-220AB
    20V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    14 ns
    无卤素
    100V
    70 mJ
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