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首页 全部分类 IXTP56N15T vs IRFIB41N15DPBF

IXTP56N15T备选型号: IRFIB41N15DPBF

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  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • IXYS
    IXTP56N15T
    IXYS
    MOSFET N-CH 150V 56A TO-220
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    56A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchHV™
    2007
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    锡银铜
    雪崩 额定
    SINGLE
    未说明
    unknown
    未说明
    3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    36m Ω @ 28A, 10V
    4.5V @ 250μA
    2250pF @ 25V
    34nC @ 10V
    150V
    ±30V
    56A
    TO-220AB
    140A
    150V
    500 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFIB41N15DPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 41A TO220FP
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    41A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2003
    e3
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    雪崩 额定
    -
    260
    -
    40
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    45m Ω @ 25A, 10V
    5.5V @ 250μA
    2520pF @ 25V
    110nC @ 10V
    -
    ±20V
    41A
    TO-220AB
    -
    -
    470 mJ
    ROHS3 Compliant
    150V
    41A
    Single
    200W
    16 ns
    63ns
    14 ns
    5.5V
    30V
    0.045Ohm
    150V
    150V
    5.5 V
    4.826mm
    10.6172mm
    16.12mm
    无
    无SVHC
    无铅
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