IXTP5N60P备选型号: STP6N60M2
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 引脚数
- 电阻
- 基本部件号
- 通道数量
- 接通延迟时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 600V 5A TO-2208 Weeks通孔通孔TO-220-3SILICON5A Tc-55°C~150°C TJTubePolarHV™2006e3yesObsolete1 (Unlimited)3Matte Tin (Sn)雪崩 额定600V未说明5A未说明3R-PSFM-T3不合格Single增强型MOSFET100WDRAINN-ChannelSWITCHING1.7 Ω @ 2.5A, 10V5.5V @ 50μA750pF @ 25V14.2nC @ 10V24ns±30V17 ns5ATO-220AB30V5A600V10A360 mJ符合RoHS标准无铅-----------
- Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube16 Weeks通孔通孔TO-220-3-4.5A Tc-55°C~150°C TJTubeMDmesh™ II Plus---活跃1 (Unlimited)----------Single-60W-N-Channel-1.2 Ω @ 2.25A, 10V4V @ 250μA232pF @ 100V8nC @ 10V7.4ns±25V22.5 ns4.5A-25V----ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)31.2OhmSTP6N19.5 ns600V15.75mm10.4mm4.6mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STP6N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube | 对比 |
| FDP7N60NZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | N-Channel Power MOSFET, UniFETTM II, 600 V, 6.5 A, 1.25 O, TO-220 | 对比 | |
| FCP4N60 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 600V 3.9A TO-220 | 对比 |




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