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IXTP5N60P备选型号: STP6NK60Z
- 隐藏公共属性
- 型号:
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 引脚数
- ECCN 代码
- 电阻
- 基本部件号
- 接通延迟时间
- 阈值电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 600V 5A TO-2208 Weeks通孔通孔TO-220-3SILICON5A Tc-55°C~150°C TJTubePolarHV™2006e3yesObsolete1 (Unlimited)3Matte Tin (Sn)雪崩 额定600V未说明5A未说明3R-PSFM-T3不合格Single增强型MOSFET100WDRAINN-ChannelSWITCHING1.7 Ω @ 2.5A, 10V5.5V @ 50μA750pF @ 25V14.2nC @ 10V24ns±30V17 ns5ATO-220AB30V5A600V10A360 mJ符合RoHS标准无铅------------
MOSFET N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH-通孔通孔TO-220-3SILICON6A Tc-55°C~150°C TJTubeSuperMESH™-e3-不用于新设计1 (Unlimited)3Tin (Sn)-600V-6A-3--Single增强型MOSFET110WISOLATEDN-ChannelSWITCHING1.2 Ω @ 3A, 10V4.5V @ 100μA905pF @ 25V46nC @ 10V14ns±30V19 ns6ATO-220AB30V6A600V24A-ROHS3 Compliant无铅NRND (Last Updated: 8 months ago)3EAR991.2OhmSTP6N14 ns3.75V9.15mm10.4mm4.6mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STP6N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube | 对比 |
 | FCP4N60 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 600V 3.9A TO-220 | 对比 |
| FDP7N60NZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | N-Channel Power MOSFET, UniFETTM II, 600 V, 6.5 A, 1.25 O, TO-220 | 对比 |
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