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首页 全部分类 IXTP60N10T vs IRFB4510PBF

IXTP60N10T备选型号: IRFB4510PBF

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  • 引脚数量
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  • 箱体转运
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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 接通延迟时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXTP60N10T
    IXYS
    MOSFET N-CH 100V 60A TO-220
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    60A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchMV™
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    18MOhm
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    176W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    18m Ω @ 25A, 10V
    4.5V @ 50μA
    2650pF @ 25V
    49nC @ 10V
    40ns
    ±30V
    37 ns
    60A
    TO-220AB
    100V
    500 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFB4510PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 100V 62A TO220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    62A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2008
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    140W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    13.5m Ω @ 37A, 10V
    4V @ 100μA
    3180pF @ 50V
    87nC @ 10V
    32ns
    ±20V
    -
    62A
    TO-220AB
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    13 ns
    100V
    2V
    20V
    250A
    2 V
    9.02mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
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