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IXTP72N20T备选型号: IRF200B211

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包装/外壳
包装
零件状态
湿度敏感性等级(MSL)
场效应管类型
漏源电压 (Vdss)
连续放电电流(ID)
RoHS状态
操作温度
系列
已出版
ECCN 代码
电阻
峰值回流焊温度（摄氏度）
时间@峰值回流温度-最大值(s)
Rds On(Max)@Id,Vgs
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
Vgs（最大值）
无铅

IXTP72N20T

IXYS

MOSFET N-CH 200V 72A TO-220

53 Weeks
通孔
通孔
TO-220-3
72A Tc
Tube
活跃
1 (Unlimited)
N-Channel
200V
72A
ROHS3 Compliant
-
-
-
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-
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-
-
IRF200B211

Infineon Technologies

Single N-Channel 200 V 170 mOhm 15.3 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

12 Weeks
通孔
通孔
TO-220-3
12A Tc
Tube
活跃
1 (Unlimited)
N-Channel
200V
12A
ROHS3 Compliant
-55°C~175°C TJ
HEXFET®, StrongIRFET™
2013
EAR99
170mOhm
未说明
未说明
170m Ω @ 7.2A, 10V
4.9V @ 50μA
790pF @ 50V
23nC @ 10V
±20V
无铅
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