ROHM Semiconductor RCX700N20
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RCX700N20
2078-RCX700N20
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
大陆
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MOSFET N-CH 200V 70A TO220
--最小包装量--
RCX700N20详情
ROHM Semiconductor RCX700N20重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
16 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
晶体管元件材料
SILICON
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
70A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.23W Ta 40W Tc
已出版
2013
操作温度
150°C TJ
包装
Bulk
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSFM-T3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
42.7m Ω @ 35A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6900pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
125nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
200V
Vgs(最大值)
±30V
连续放电电流(ID)
70A
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
0.0427Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
140A
DS 击穿电压-最小值
200V
雪崩能量等级(Eas)
396 mJ
达到SVHC
not_compliant
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
RCX700N20拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor
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