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IXTP7N60PM备选型号: SPP04N60C3XKSA1
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大双电源电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220通孔通孔TO-220-3SILICON4A Tc-55°C~150°C TJTubePolar™2008e1yesObsolete1 (Unlimited)3Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)雪崩 额定未说明未说明3R-PSFM-T3不合格Single增强型MOSFET41WISOLATEDN-ChannelSWITCHING1.1 Ω @ 3.5A, 10V5.5V @ 100μA1180pF @ 25V20nC @ 10V27ns±30V26 ns4ATO-220AB30V4A600V400 mJ符合RoHS标准----------------
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220AB通孔通孔TO-220-3-4.5A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2005--不用于新设计1 (Unlimited)--------Single-50W-N-Channel-950mOhm @ 2.8A, 10V3.9V @ 200μA490pF @ 25V25nC @ 10V2.5ns±20V9.5 ns4.5A-20V---ROHS3 Compliant8 Weeks3PG-TO220-3150°C-55°C650V4.5A6 ns无卤素600V600V490pF850mOhm950 mΩ无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STP7NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 600V 5A TO-220AB | 对比 |
| STP6NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube | 对比 |
| SPP04N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220AB | 对比 |
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