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IXTP8N65X2备选型号: TK9A65W,S5X

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包装
已出版
零件状态
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峰值回流焊温度（摄氏度）
Reach合规守则
时间@峰值回流温度-最大值(s)
场效应管类型
Rds On(Max)@Id,Vgs
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
漏源电压 (Vdss)
Vgs（最大值）
连续放电电流(ID)
RoHS状态
供应商器件包装
系列
输入电容
最大rds

IXTP8N65X2

IXYS

MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-220

15 Weeks
通孔
通孔
TO-220-3
8A Tc
-55°C~150°C TJ
Tube
2015
活跃
1 (Unlimited)
EAR99
未说明
not_compliant
未说明
N-Channel
500m Ω @ 4A, 10V
5V @ 250μA
800pF @ 25V
12nC @ 10V
650V
±30V
8A
ROHS3 Compliant
-
-
-
-
TK9A65W,S5X

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 650V 9.3A TO-220SIS

16 Weeks
通孔
通孔
TO-220-3 Full Pack
9.3A Ta
150°C TJ
Tube
2015
活跃
1 (Unlimited)
-
-
-
-
N-Channel
500mOhm @ 4.6A, 10V
3.5V @ 350μA
700pF @ 300V
20nC @ 10V
650V
±30V
9.3A
符合RoHS标准
TO-220SIS
DTMOSIV
700pF
500 mΩ
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