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首页 全部分类 IXTQ110N10P vs STP80NF10

IXTQ110N10P备选型号: STP80NF10

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 接通延迟时间
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXTQ110N10P
    IXYS
    MOSFET N-CH 100V 110A TO-3P
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    SILICON
    110A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PolarHT™
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    未说明
    unknown
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    480W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    15m Ω @ 500mA, 10V
    5V @ 250μA
    3550pF @ 25V
    110nC @ 10V
    25ns
    ±20V
    25 ns
    110A
    20V
    0.015Ohm
    100V
    250A
    1000 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP80NF10
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    STripFET™ II
    -
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    3
    -
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    15m Ω @ 40A, 10V
    4V @ 250μA
    5500pF @ 25V
    182nC @ 10V
    80ns
    ±20V
    60 ns
    80A
    20V
    -
    100V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    453.59237kg
    15mOhm
    100V
    80A
    STP80N
    26 ns
    3V
    TO-220AB
    9.15mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    无铅
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