STMicroelectronics STP80NF10
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STP80NF10
2381-STP80NF10
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
--最小包装量--
STP80NF10详情
STMicroelectronics STP80NF10重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
质量
453.59237kg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
80A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
300W Tc
Turn Off Delay Time
116 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
STripFET™ II
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
15mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
电压 - 额定直流
100V
额定电流
80A
基本部件号
STP80N
引脚数量
3
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
300W
接通延迟时间
26 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
15m Ω @ 40A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5500pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
182nC @ 10V
上升时间
80ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
60 ns
连续放电电流(ID)
80A
阈值电压
3V
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
高度
9.15mm
长度
10.4mm
宽度
4.6mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STP80NF10拓展信息
STMicroelectronics
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