IXTQ120N15T备选型号: IRFPS3815PBF
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最大功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 已出版
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N-CH 150V 120A TO-3P通孔通孔TO-3P-3, SC-65-3120A TcTubePolarHT™活跃1 (Unlimited)600WN-Channel16m Ω @ 500mA, 10V4900pF @ 25V150nC @ 10V150V120AROHS3 Compliant---------------------------
- MOSFET N-CH 150V 105A SUPER247通孔通孔TO-274AA105A TcBulkHEXFET®不用于新设计1 (Unlimited)-N-Channel15m Ω @ 63A, 10V6810pF @ 25V390nC @ 10V-105AROHS3 Compliant25 Weeks3SILICON-55°C~175°C TJ20043EAR99AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY150V105ASingle增强型MOSFET441WDRAIN22 nsSWITCHING5V @ 250μA130ns±30V60 ns30V150V20.8mm16.0782mm5.3mm无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDP075N15A-F102 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 150V 130A TO-220-3 | 对比 | |
![]() | AUIRFSL4115 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N CH 150V 99A TO262 | 对比 |
![]() | IRFB4321PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 150V 83A TO-220AB | 对比 |






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