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IXTQ130N10T备选型号: IRFB4310PBF
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 触点镀层
- 终端
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 接通延迟时间
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 100V 130A TO-3P8 Weeks通孔通孔TO-3P-3, SC-65-33SILICON130A Tc-55°C~175°C TJTubeTrenchMV™2008e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn)AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE未说明未说明3不合格Single增强型MOSFET360WDRAINN-ChannelSWITCHING9.1m Ω @ 25A, 10V4.5V @ 250μA5080pF @ 25V104nC @ 10V47ns±20V28 ns130A0.0091Ohm100V500 mJROHS3 Compliant--------------------
MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB12 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON130A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2004e3-活跃1 (Unlimited)3EAR99--25030--Single增强型MOSFET300WDRAINN-ChannelSWITCHING7m Ω @ 75A, 10V4V @ 250μA7670pF @ 50V250nC @ 10V110ns±20V78 ns130A-100V980 mJROHS3 CompliantTin通孔7MOhm100V140A26 ns4VTO-220AB20V75A550A100V68 ns4 V9.02mm10.6426mm4.82mm无SVHC无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFB4310PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB | 对比 |
 | FDP085N10A-F102 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V 96A TO-220-3 | 对比 |
 | IRFP4410ZPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 100V 97A TO-247AC | 对比 |
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