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首页 全部分类 IXTQ130N10T vs IRFB4410ZPBF

IXTQ130N10T备选型号: IRFB4410ZPBF

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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 终端
  • 电阻
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXTQ130N10T
    IXYS
    MOSFET N-CH 100V 130A TO-3P
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    SILICON
    130A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchMV™
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    360W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    9.1m Ω @ 25A, 10V
    4.5V @ 250μA
    5080pF @ 25V
    104nC @ 10V
    47ns
    ±20V
    28 ns
    130A
    0.0091Ohm
    100V
    500 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFB4410ZPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    97A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    镍外哑光锡
    -
    250
    30
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    230W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    9m Ω @ 58A, 10V
    4V @ 150μA
    4820pF @ 50V
    120nC @ 10V
    52ns
    ±20V
    57 ns
    96A
    -
    100V
    242 mJ
    ROHS3 Compliant
    通孔
    9MOhm
    1
    16 ns
    2V
    TO-220AB
    20V
    97A
    100V
    57 ns
    175°C
    4 V
    19.8mm
    10.6426mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    无铅
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