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IXTQ170N10P备选型号: NDPL180N10BG
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 接通延迟时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 无铅
MOSFET N-CH 100V 170A TO-3P24 Weeks通孔通孔TO-3P-3, SC-65-33SILICON170A Tc-55°C~175°C TJTubePolar™2006yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Pure Tin (Sn)雪崩 额定未说明未说明3不合格Single增强型MOSFET714WDRAINN-ChannelSWITCHING9m Ω @ 500mA, 10V5V @ 250μA6000pF @ 25V198nC @ 10V50ns±20V33 ns170A5V20V0.009Ohm100V2000 mJ无SVHCROHS3 Compliant------
ON SEMICONDUCTOR NDPL180N10BG MOSFET Transistor, N Channel, 180 A, 100 V, 0.0025 ohm, 15 V, 4 V5 Weeks通孔通孔TO-220-33-180A Ta175°C TJTube--yesObsolete1 (Unlimited)--------Single---N-Channel-3m Ω @ 15V, 50A4V @ 1mA6950pF @ 50V95nC @ 10V-±20V-180A4V20V---无SVHC符合RoHS标准95 ns100V15.7mm10mm4.5mm无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STP140NF75 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube | 对比 |
 | IRFSL4310PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 100V 130A TO-262 | 对比 |
| NDPL180N10BG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | ON SEMICONDUCTOR NDPL180N10BG MOSFET Transistor, N Channel, 180 A, 100 V, 0.0025 ohm, 15 V, 4 V | 对比 |
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