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首页 全部分类 IXTQ200N10T vs IRFB4110PBF

IXTQ200N10T备选型号: IRFB4110PBF

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  • 连续放电电流(ID)
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 终端
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 接通延迟时间
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXTQ200N10T
    IXYS
    MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    SILICON
    200A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchMV™
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    5.5MOhm
    PURE TIN
    雪崩 额定
    未说明
    unknown
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    550W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    5.5m Ω @ 50A, 10V
    4.5V @ 250μA
    9400pF @ 25V
    152nC @ 10V
    31ns
    ±30V
    34 ns
    200A
    100V
    500A
    1500 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFB4110PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 3.7 Milliohms; ID 180A; TO-220AB; PD 370W
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2008
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    370W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    4.5m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 250μA
    9620pF @ 50V
    210nC @ 10V
    67ns
    ±20V
    88 ns
    180A
    100V
    670A
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    通孔
    100V
    180A
    25 ns
    4V
    TO-220AB
    20V
    0.0045Ohm
    100V
    75 ns
    4 V
    16.51mm
    10.66mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
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