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IXTQ200N10T备选型号: IRLB4030PBF
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 终端
- 接通延迟时间
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P8 Weeks通孔通孔TO-3P-3, SC-65-33SILICON200A Tc-55°C~175°C TJTubeTrenchMV™2008e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR995.5MOhmPURE TIN雪崩 额定未说明unknown未说明3不合格Single增强型MOSFET550WDRAINN-ChannelSWITCHING5.5m Ω @ 50A, 10V4.5V @ 250μA9400pF @ 25V152nC @ 10V31ns±30V34 ns200A100V500A1500 mJROHS3 Compliant无铅------------
MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB12 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON180A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2009--活跃1 (Unlimited)3EAR994.3MOhm-------Single增强型MOSFET370W-N-ChannelSWITCHING4.3m Ω @ 110A, 10V2.5V @ 250μA11360pF @ 50V130nC @ 4.5V330ns±16V170 ns180A100V--ROHS3 Compliant无铅通孔74 ns2.5VTO-220AB16V100V2.5 V15.24mm10.5156mm4.69mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFB4110PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 3.7 Milliohms; ID 180A; TO-220AB; PD 370W | 对比 |
 | FDP047N10 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET 100V N-Channel PowerTrench | 对比 |
| IRLB4030PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB | 对比 |
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