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首页 全部分类 IXTQ22N60P vs STP20NM60FP

IXTQ22N60P备选型号: STP20NM60FP

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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • ECCN 代码
  • 基本部件号
  • 接通延迟时间
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXTQ22N60P
    IXYS
    MOSFET N-CH 600V 22A TO-3P
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    SILICON
    22A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PolarHV™
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    350MOhm
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    600V
    未说明
    22A
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    400W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    350m Ω @ 11A, 10V
    5.5V @ 250μA
    3600pF @ 25V
    62nC @ 10V
    20ns
    ±30V
    23 ns
    22A
    30V
    600V
    66A
    1000 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP20NM60FP
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    20A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™
    -
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    290mOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    -
    650V
    245
    20A
    30
    3
    -
    Single
    增强型MOSFET
    45W
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    290m Ω @ 10A, 10V
    5V @ 250μA
    1500pF @ 25V
    54nC @ 10V
    20ns
    ±30V
    11 ns
    20A
    30V
    600V
    80A
    650 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    EAR99
    STP20N
    25 ns
    4V
    TO-220AB
    9.3mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
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