STMicroelectronics STP20NM60FD

工厂交货时间

16 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

192W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A Tc

系列

FDmesh™

包装

Tube

操作温度

-65°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

600V

额定电流

20A

基本部件号

STP20N

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

192W

接通延迟时间

25 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

290m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1300pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

37nC @ 10V

上升时间

12ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

22 ns

连续放电电流(ID)

20A

阈值电压

4V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.29Ohm

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

80A

雪崩能量等级（Eas）

700 mJ

宽度

4.6mm

长度

10.4mm

高度

9.15mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅