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首页 全部分类 IXTQ50N25T vs STW52NK25Z

IXTQ50N25T备选型号: STW52NK25Z

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  • 额定电流
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  • 阈值电压
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • IXYS
    IXTQ50N25T
    IXYS
    MOSFET N-CH 250V 50A TO-3P
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    SILICON
    50A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2010
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Pure Tin (Sn)
    雪崩 额定
    SINGLE
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    400W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    60m Ω @ 25A, 10V
    5V @ 1mA
    4000pF @ 25V
    78nC @ 10V
    250V
    ±30V
    50A
    0.05Ohm
    250V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STW52NK25Z
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 250 Volt 52 Amp Zener SuperMESH
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    52A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    3
    -
    增强型MOSFET
    300W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    45m Ω @ 26A, 10V
    4.5V @ 150μA
    4850pF @ 25V
    160nC @ 10V
    -
    ±30V
    26A
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    NRND (Last Updated: 8 months ago)
    SuperMESH™
    e3
    45mOhm
    250V
    52A
    STW52N
    Single
    40 ns
    75ns
    55 ns
    3.75V
    30V
    250V
    208A
    500 mJ
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
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