IXTQ72N20T备选型号: IRFB4127PBF
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- 型号:
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 供应商器件包装
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 场效应管类型
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 系列
- 操作温度
- JESD-609代码
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 最大结点温度(Tj)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 无铅
- MOSFET N-CH 200V 72A TO-3P通孔通孔TO-3P-3, SC-65-3TO-3P72A TcTube活跃1 (Unlimited)N-Channel200V72AROHS3 Compliant----------------------------------------
- In a Pack of 2, N-Channel MOSFET, 76 A, 200 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRFB4127PBF通孔通孔TO-220-3-76A TcTube活跃1 (Unlimited)N-Channel-76AROHS3 Compliant12 Weeks3SILICON2008HEXFET®-55°C~175°C TJe33通孔EAR9920MOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier1Single增强型MOSFET375WDRAIN17 nsSWITCHING20m Ω @ 44A, 10V5V @ 250μA5380pF @ 50V150nC @ 10V18ns±20V22 ns5VTO-220AB20V200V200V250 mJ175°C5 V19.8mm10.668mm4.826mm无无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPP120N20NFDAKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | IPP120N20NFD Series 200 V 84 A OptiMOS?FD Power Transistor MOSFET - TO-220-3 | 对比 |
![]() | STW75NF20 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 200V 75A TO-247 | 对比 |
![]() | IRFB4127PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | In a Pack of 2, N-Channel MOSFET, 76 A, 200 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRFB4127PBF | 对比 |






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