IXTQ86N20T备选型号: FDP2614

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 系列
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • IXYS
    MOSFET N-CH 200V 86A TO-3P
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    SILICON
    86A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    29m Ω @ 500mA, 10V
    5V @ 1mA
    4500pF @ 25V
    90nC @ 10V
    200V
    ±30V
    86A
    0.029Ohm
    260A
    200V
    1000 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Rail
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    62A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    不合格
    -
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    27m Ω @ 31A, 10V
    5V @ 250μA
    7230pF @ 25V
    99nC @ 10V
    -
    ±30V
    62A
    0.027Ohm
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    1.8g
    PowerTrench®
    Single
    260W
    77 ns
    284ns
    162 ns
    TO-220AB
    30V
    200V
    4 V
    16.51mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无铅
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