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首页 全部分类 IXTR102N65X2 vs IPW65R041CFDFKSA1

IXTR102N65X2备选型号: IPW65R041CFDFKSA1

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  • RoHS状态
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • 系列
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  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • IXYS
    IXTR102N65X2
    IXYS
    MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247
    15 Weeks
    通孔
    通孔
    ISOPLUS247™
    54A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    not_compliant
    未说明
    N-Channel
    33m Ω @ 51A, 10V
    5V @ 250μA
    10900pF @ 25V
    152nC @ 10V
    650V
    ±30V
    54A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPW65R041CFDFKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 700V 68.5A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    26 Weeks
    -
    通孔
    TO-247-3
    68.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    -
    未说明
    N-Channel
    41m Ω @ 33.1A, 10V
    4.5V @ 3.3mA
    8400pF @ 100V
    300nC @ 10V
    650V
    ±20V
    -
    ROHS3 Compliant
    NO
    SILICON
    CoolMOS™
    e3
    yes
    3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    3
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    68.5A
    0.041Ohm
    255A
    650V
    2185 mJ
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