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IXTR40P50P备选型号: FDA24N50
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 质量
- ECCN 代码
- 电阻
- JESD-30代码
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET P-CH 500V 22A ISOPLUS24728 Weeks通孔通孔ISOPLUS247™3SILICON22A Tc-55°C~150°C TJTubePolarP™2012e1yes活跃1 (Unlimited)3锡银铜AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZEDSINGLE未说明unknown未说明3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETISOLATEDP-ChannelSWITCHING260m Ω @ 20A, 10V4V @ 1mA11500pF @ 25V205nC @ 10V500V±20V22A0.26Ohm120A500VROHS3 Compliant无铅------------------
MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN4 Weeks通孔通孔TO-3P-3, SC-65-32SILICON24A Tc-55°C~150°C TJTubeUniFET™2013e3yes活跃1 (Unlimited)3Tin (Sn)--------增强型MOSFET-N-ChannelSWITCHING190m Ω @ 12A, 10V5V @ 250μA4150pF @ 25V85nC @ 10V-±30V24A-96A-ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)6.401gEAR99190MOhmR-PSFM-T3Single270W47 ns108ns86 ns5V30V500V20.1mm15.8mm5mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDA24N50 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN | 对比 |
 | IPA50R190CEXKSA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP | 对比 |
| FQA24N50 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN | 对比 |
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