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IXTU2N80P备选型号: SPS02N60C3
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 引脚数
- JESD-609代码
- 终端
- 端子表面处理
- 接通延迟时间
- 最大双电源电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 达到SVHC
- 无铅
MOSFET N-CH TO-251通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AASILICON2A Tc-55°C~150°C TJTubePolarHV™2006yesObsolete1 (Unlimited)3雪崩 额定未说明未说明3R-PSIP-T3不合格Single增强型MOSFET70WDRAINN-ChannelSWITCHING6 Ω @ 1A, 10V5.5V @ 50μA440pF @ 25V10.6nC @ 10V35ns±30V28 ns2A30V2A6Ohm800V4A100 mJ符合RoHS标准----------
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3通孔通孔TO-251-3 Stub Leads, IPakSILICON1.8A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2005noObsolete1 (Unlimited)3雪崩 额定未说明未说明3-不合格Single增强型MOSFET25W-N-Channel-3 Ω @ 1.1A, 10V3.9V @ 80μA200pF @ 25V12.5nC @ 10V3ns±20V12 ns1.8A20V-3Ohm650V5.4A50 mJ符合RoHS标准3e3通孔Matte Tin (Sn)6 ns600V650V3 VUnknown无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STD7NM80-1 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | Trans MOSFET N-CH 800V 6.5A 3-Pin(3 Tab) IPAK Tube | 对比 |
| STU7NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET Transistor, N Channel, 5 A, 600 V, 0.84 ohm, 10 V, 3 V RoHS Compliant: Yes | 对比 |
| SPS02N60C3 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3 | 对比 |
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