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首页 全部分类 IXTU55N075T vs FQU17P06TU

IXTU55N075T备选型号: FQU17P06TU

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  • 额定电流
  • 元素配置
  • 操作模式
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  • 晶体管应用
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXTU55N075T
    IXYS
    MOSFET N-CH 75V 55A TO-251
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    55A Tc
    Tube
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    4V @ 25μA
    75V
    55A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQU17P06TU
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3 Tab) IPAK Tube
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    12A Tc
    Tube
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    P-Channel
    4V @ 250μA
    60V
    -12A
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    7 Weeks
    Tin
    3
    343.08mg
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    QFET®
    e3
    yes
    3
    EAR99
    135MOhm
    -60V
    -12A
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    13 ns
    SWITCHING
    135m Ω @ 6A, 10V
    900pF @ 25V
    27nC @ 10V
    100ns
    ±25V
    60 ns
    -4V
    25V
    -60V
    48A
    7.57mm
    6.8mm
    2.5mm
    无SVHC
    无
    无铅
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