IXTY1N120P备选型号: STD2N105K5
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 配置
- 场效应管类型
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 最大耗散功率(Abs)
- RoHS状态
- 操作温度
- 系列
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs(最大值)
- 无铅
- MOSFET N-CH 1200V 1A TO-25224 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-631A TcTube2016活跃1 (Unlimited)SingleN-Channel1200V1A1A63WROHS3 Compliant------------
- MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK17 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-631.5A TcCut Tape (CT)-活跃1 (Unlimited)SingleN-Channel1050V1.5A--ROHS3 Compliant-55°C~150°C TJMDmesh™ K5EAR99未说明未说明STD2N1058 Ω @ 750mA, 10V5V @ 100μA115pF @ 100V10nC @ 10V±30V无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STD5N95K5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 950V 3.5A DPAK | 对比 |
![]() | FQD1N50TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK | 对比 |
![]() | STD2N105K5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK | 对比 |




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