IXTY1N120P备选型号: STD2N105K5

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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 最大耗散功率(Abs)
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  • ECCN 代码
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs(最大值)
  • 无铅
  • IXYS
    MOSFET N-CH 1200V 1A TO-252
    24 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    1A Tc
    Tube
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    Single
    N-Channel
    1200V
    1A
    1A
    63W
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    1.5A Tc
    Cut Tape (CT)
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    Single
    N-Channel
    1050V
    1.5A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -55°C~150°C TJ
    MDmesh™ K5
    EAR99
    未说明
    未说明
    STD2N105
    8 Ω @ 750mA, 10V
    5V @ 100μA
    115pF @ 100V
    10nC @ 10V
    ±30V
    无铅
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