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首页 全部分类 IXTY1R4N60P vs FQD1N50TM

IXTY1R4N60P备选型号: FQD1N50TM

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  • JESD-609代码
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • IXYS
    IXTY1R4N60P
    IXYS
    MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    1.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PolarHV™
    2006
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    600V
    鸥翼
    1.4A
    4
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    50W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    9 Ω @ 700mA, 10V
    5.5V @ 25μA
    140pF @ 25V
    5.2nC @ 10V
    16ns
    ±30V
    16 ns
    1.4A
    5.5V
    TO-252AA
    30V
    9Ohm
    600V
    75 mJ
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
  • ON Semiconductor
    FQD1N50TM
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    -
    1.1A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    2000
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    500V
    -
    1.1A
    -
    -
    Single
    -
    2.5W
    -
    N-Channel
    -
    9 Ω @ 550mA, 10V
    5V @ 250μA
    150pF @ 25V
    5.5nC @ 10V
    25ns
    ±30V
    20 ns
    1.1A
    -
    -
    30V
    -
    500V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
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IPD60R3K3C6ATMA1 IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 对比