IXYS IXTY1R4N60P

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.4A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

50W Tc

Turn Off Delay Time

25 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

PolarHV™

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

600V

终端形式

鸥翼

额定电流

1.4A

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

50W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9 Ω @ 700mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.5V @ 25μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

140pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.2nC @ 10V

上升时间

16ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

16 ns

连续放电电流(ID)

1.4A

阈值电压

5.5V

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

9Ohm

漏源击穿电压

600V

雪崩能量等级（Eas）

75 mJ

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅