IXTY3N50P备选型号: IPD50R1K4CEAUMA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 无铅
- ECCN 代码
- Reach合规守则
- 接通延迟时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK8 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON3.6A Tc-55°C~150°C TJTubePolarHV™2006e3yesObsolete1 (Unlimited)2Matte Tin (Sn)雪崩 额定500V鸥翼未说明3A未说明4R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET70WDRAINN-ChannelSWITCHING2 Ω @ 1.8A, 10V5.5V @ 50μA409pF @ 25V9.3nC @ 10V15ns±30V12 ns3.6ATO-252AA30V2Ohm500V8A180 mJ符合RoHS标准无铅-------
- On a Reel of 2500, N-Channel MOSFET, 3.1 A, 550 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD50R1K4CEBTMA118 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633-3.1A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™ CE2008e3yes活跃3 (168 Hours)-Tin (Sn)---------Single-25W-N-Channel-1.4 Ω @ 900mA, 13V3.5V @ 70μA178pF @ 100V8.2nC @ 10V6ns±20V30 ns3.1A-30V-550V--ROHS3 Compliant-EAR99not_compliant6.5 ns500V2.41mm6.73mm6.22mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
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