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1

￥1.94818
10

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100

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500

￥1.635729
1000

￥1.543141

Infineon Technologies IPD50R1K4CEAUMA1

Name: IPD50R1K4CEAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-IPD50R1K4CEAUMA1
Price: 1.95 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IPD50R1K4CEAUMA1

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-IPD50R1K4CEAUMA1

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

On a Reel of 2500, N-Channel MOSFET, 3.1 A, 550 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD50R1K4CEBTMA1

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IPD50R1K4CEAUMA1 Infineon Technologies On a Reel of 2500, N-Channel MOSFET, 3.1 A, 550 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD50R1K4CEBTMA1

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IPD50R1K4CEAUMA1详情

技术参数

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型号对比

Infineon Technologies IPD50R1K4CEAUMA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

18 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数

3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.1A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

13V
Number of Elements

1
Power Dissipation (Max)

42W Tc
Turn Off Delay Time

23 ns
操作温度

-55°C~150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
系列

CoolMOS™ CE
已出版

2008
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin (Sn)
Reach合规守则

not_compliant
元素配置

Single
功率耗散

25W
接通延迟时间

6.5 ns
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

1.4 Ω @ 900mA, 13V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 70μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

178pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8.2nC @ 10V
上升时间

6ns
漏源电压 (Vdss)

500V
Vgs（最大值）

±20V
下降时间（典型值）

30 ns
连续放电电流(ID)

3.1A
栅极至源极电压(Vgs)

30V
漏源击穿电压

550V
高度

2.41mm
长度

6.73mm
宽度

6.22mm
RoHS状态

ROHS3 Compliant

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IPD50R1K4CEAUMA1拓展信息

热销零件