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首页 全部分类 IXTY4N60P vs STD5N60M2

IXTY4N60P备选型号: STD5N60M2

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  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 质量
  • ECCN 代码
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 无铅
  • IXYS
    IXTY4N60P
    IXYS
    MOSFET N-CH TO-252
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PolarHV™
    2006
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    雪崩 额定
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    4
    R-PSSO-G2
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    2 Ω @ 2A, 10V
    5.5V @ 100μA
    635pF @ 25V
    13nC @ 10V
    600V
    ±30V
    4A
    4A
    2Ohm
    10A
    600V
    150 mJ
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD5N60M2
    STMicroelectronics
    MOSFET POWER MOSFET
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    3.5A Tc
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    MDmesh™ II Plus
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    -
    -
    鸥翼
    未说明
    未说明
    -
    R-PSSO-G2
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    1.4 Ω @ 1.7A, 10V
    4V @ 250μA
    211pF @ 100V
    8.5nC @ 10V
    -
    ±25V
    3.5A
    -
    -
    -
    -
    80 mJ
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    Tin
    3
    3.949996g
    EAR99
    STD5N
    1
    Single
    11.8 ns
    3ns
    15 ns
    25V
    600V
    无铅
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