STMicroelectronics STD5N60M2

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

工厂交货时间

16 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

质量

3.949996g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

45W Tc

Turn Off Delay Time

70 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

MDmesh™ II Plus

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STD5N

JESD-30代码

R-PSSO-G2

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

11.8 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.4 Ω @ 1.7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

211pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8.5nC @ 10V

上升时间

3ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

15 ns

连续放电电流(ID)

3.5A

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏源击穿电压

600V

雪崩能量等级（Eas）

80 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅