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首页 全部分类 IXTY64N055T vs IRFR3505PBF

IXTY64N055T备选型号: IRFR3505PBF

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  • 场效应管类型
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
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  • JEDEC-95代码
  • 漏源击穿电压
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 接通延迟时间
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXTY64N055T
    IXYS
    MOSFET N-CH 55V 64A TO-252
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    64A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchMV™
    2006
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    鸥翼
    未说明
    未说明
    4
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    130W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    13m Ω @ 500mA, 10V
    4V @ 25μA
    1420pF @ 25V
    37nC @ 10V
    52ns
    ±20V
    30 ns
    64A
    TO-252AA
    55V
    250 mJ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFR3505PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    30A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2002
    e3
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    鸥翼
    260
    30
    -
    R-PSSO-G2
    -
    Single
    增强型MOSFET
    140W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    13m Ω @ 30A, 10V
    4V @ 250μA
    2030pF @ 25V
    93nC @ 10V
    74ns
    ±20V
    54 ns
    71A
    TO-252AA
    55V
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    Tin
    13mOhm
    55V
    71A
    13 ns
    4V
    20V
    280A
    55V
    4 V
    2.3876mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
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