IXXH110N65C4备选型号: IXXX110N65B4H1
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- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- Reach合规守则
- 接通延迟时间
- 反向恢复时间
- IGBT Transistors 650V/234A TRENCH IGBT GENX4 XPT28 Weeks通孔通孔TO-247-33650V1.98V-55°C~175°C TJTubeGenX4™, XPT™2015活跃1 (Unlimited)880W110N65Single880WStandardN-CHANNEL2.35V234A2.35V @ 15V, 110APT180nC600A35ns/143ns2.3mJ (on), 600μJ (off)20V6.5V无ROHS3 Compliant无铅-----
- IGBT Transistors 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT18 Weeks通孔通孔TO-247-3-650V1.75V-55°C~175°C TJTubeGenX4™, XPT™2013活跃1 (Unlimited)880W110N65Single880WStandardN-CHANNEL2.1V240A2.1V @ 15V, 110APT183nC630A38ns/156ns2.2mJ (on), 1.05mJ (off)20V6.5V-ROHS3 Compliant无铅e3Matte Tin (Sn)not_compliant26 ns100 ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IXYH100N65C3 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 650V 200A 830W TO247 | 对比 |
![]() | IXXX110N65B4H1 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT | 对比 |
![]() | IXXX160N65C4 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors 650V/290A TRENCH IGBT GENX4 XPT | 对比 |




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