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首页 全部分类 IXXH30N60B3D1 vs IRGP35B60PDPBF

IXXH30N60B3D1备选型号: IRGP35B60PDPBF

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 额定电流
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  • 高度
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  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXXH30N60B3D1
    IXYS
    IGBT Transistors XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    600V
    1.66V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GenX3™, XPT™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    270W
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    270W
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    60A
    25ns
    TO-247AD
    57 ns
    1.85V @ 15V, 24A
    292 ns
    PT
    39nC
    115A
    23ns/97ns
    550μJ (on), 500μJ (off)
    20V
    5.5V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRGP35B60PDPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 60A 308W TO247AC
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    600V
    1.85V
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    -
    2000
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    308W
    -
    -
    -
    Single
    308W
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.55V
    60A
    42 ns
    TO-247AC
    34 ns
    2.55V @ 15V, 35A
    142 ns
    NPT
    160nC
    120A
    26ns/110ns
    220μJ (on), 215μJ (off)
    20V
    5V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    通孔
    EAR99
    HIGH RELIABILITY, LOW CONDUCTION LOSS
    600V
    60A
    26 ns
    6ns
    20.7mm
    15.87mm
    5.3086mm
    无SVHC
    无
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