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首页 全部分类 IXXH75N60C3D1 vs IXXH50N60B3D1

IXXH75N60C3D1备选型号: IXXH50N60B3D1

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  • 最大功率耗散
  • 端子位置
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  • 配置
  • 箱体转运
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  • 功率 - 最大
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  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 反向恢复时间
  • JEDEC-95代码
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 功率耗散
  • IXYS
    IXXH75N60C3D1
    IXYS
    IGBT 600V 150A 750W TO247
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    600V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GenX3™, XPT™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    750W
    SINGLE
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    COLLECTOR
    Standard
    750W
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.3V
    150A
    25 ns
    TO-247AD
    105 ns
    2.3V @ 15V, 60A
    185 ns
    PT
    107nC
    300A
    35ns/90ns
    1.6mJ (on), 800μJ (off)
    20V
    5.5V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXXH50N60B3D1
    IXYS
    IGBT Transistors XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    600V
    -
    Tube
    GenX3™, XPT™
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    600W
    SINGLE
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    COLLECTOR
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.8V
    120A
    25 ns
    TO-247AD
    75 ns
    1.8V @ 15V, 36A
    320 ns
    PT
    70nC
    200A
    27ns/100ns
    670μJ (on), 740μJ (off)
    20V
    5.5V
    ROHS3 Compliant
    1.55V
    175°C
    -55°C
    未说明
    未说明
    600W
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