IXXH80N65B4H1备选型号: IXXH60N65B4H1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 功率耗散
- 输入类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- ECCN 代码
- 极性/通道类型
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 达到SVHC
- IGBT Transistors 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT18 Weeks通孔通孔TO-247-3650V1.65V-55°C~175°C TJTubeGenX4™, XPT™2015活跃1 (Unlimited)625WSingle625WStandard2V160A150ns2V @ 15V, 80APT120nC430A38ns/120ns3.77mJ (on), 1.2mJ (off)ROHS3 Compliant无铅------
- IGBT Transistors 650V/106A TRENCH IGBT GENX4 XPT14 Weeks通孔通孔TO-247-3650V1.7V-55°C~175°C TJTubeGenX4™, XPT™2006活跃1 (Unlimited)380WSingle380WStandard2V116A150ns2V @ 15V, 60APT95nC230A37ns/145ns3.13mJ (on), 1.15mJ (off)ROHS3 Compliant-3EAR99N-CHANNEL20V6.5V无SVHC
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRGP4790PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 650V TO-247 | 对比 |
![]() | IRGP4266D-EPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 650V 140A 455W TO247AD | 对比 |
![]() | IXXH60N65C4 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors 650V/118A TRENCH IGBT GENX4 XPT | 对比 |





哦! 它是空的。