IXXH80N65B4H1备选型号: IXXH60N65C4
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- Collector-Emitter Saturation Voltage
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 功率耗散
- 输入类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- RoHS状态
- 无铅
- 极性/通道类型
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- IGBT Transistors 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT18 Weeks通孔通孔TO-247-3650V1.65V-55°C~175°C TJTubeGenX4™, XPT™2015活跃1 (Unlimited)625WSingle625WStandard2V160A150ns2V @ 15V, 80APT120nC430A38ns/120ns3.77mJ (on), 1.2mJ (off)ROHS3 Compliant无铅---
- IGBT Transistors 650V/118A TRENCH IGBT GENX4 XPT28 Weeks通孔通孔TO-247-3650V1.8V-55°C~175°C TJTubeGenX4™, XPT™2014活跃1 (Unlimited)455WSingle455WStandard2.2V118A-2.2V @ 15V, 60APT94nC240A37ns/133ns3.2mJ (on), 830μJ (off)ROHS3 Compliant-N-CHANNEL20V6.5V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRGP4790PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 650V TO-247 | 对比 |
![]() | IRGP4266D-EPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 650V 140A 455W TO247AD | 对比 |
![]() | IXXH60N65C4 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors 650V/118A TRENCH IGBT GENX4 XPT | 对比 |





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