IXXK110N65B4H1备选型号: IXXK200N65B4
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- Collector-Emitter Saturation Voltage
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- 操作温度
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最大功率耗散
- Reach合规守则
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 输入类型
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
- 无铅
- 功率 - 最大
- IGBT Transistors 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT18 WeeksTO-264-3, TO-264AA通孔通孔400V, 55A, 2 Ω, 15V1.75V2013GenX4™, XPT™Tube-55°C~175°C TJ活跃1 (Unlimited)880Wunknown110N65Single880WStandardN-CHANNEL650V240A100 ns2.1V @ 15V, 110APT183nC630A38ns/156ns2.2mJ (on), 1.05mJ (off)20V6.5VROHS3 Compliant无铅-
- IGBT 650V 370A 1150W TO26428 WeeksTO-264-3, TO-264AA通孔通孔650V1.4V2014GenX4™, XPT™Tube-55°C~175°C TJ活跃1 (Unlimited)1.15kWunknown-Single1.15kWStandardN-CHANNEL1.7V370A-1.7V @ 15V, 160APT553nC1000A62ns/245ns4.4mJ (on), 2.2mJ (off)20V6.5VROHS3 Compliant-1150W
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | APT75GN60LDQ3G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | Trans IGBT Chip N-CH 600V 155A 3-Pin(3 Tab) TO-264 | 对比 |
![]() | APT75GN120LG | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 200A 3-Pin(3 Tab) TO-264 | 对比 |
![]() | IXXK200N65B4 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | IGBT 650V 370A 1150W TO264 | 对比 |





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