IXXK200N60C3备选型号: APT100GN60LDQ4G

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  • 极性/通道类型
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  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
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  • IGBT类型
  • 闸门收费
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  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 连续集电极电流
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IGBT 600V 340A 1630W TO264
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    SILICON
    600V
    1.6V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GenX3™, XPT™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    雪崩 额定
    1.63kW
    unknown
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    1.63kW
    COLLECTOR
    Standard
    1630W
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.1V
    340A
    143 ns
    2.1V @ 15V, 100A
    240 ns
    PT
    315nC
    900A
    47ns/125ns
    3mJ (on), 1.7mJ (off)
    20V
    6V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    IGBT 600V 229A 625W TO264
    25 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    SILICON
    600V
    1.5V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    1999
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    HIGH RELIABILITY
    625W
    -
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    -
    COLLECTOR
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    229A
    96 ns
    1.85V @ 15V, 100A
    435 ns
    沟渠现场停车
    600nC
    300A
    31ns/310ns
    4.75mJ (on), 2.675mJ (off)
    30V
    6.5V
    符合RoHS标准
    Tin
    10.6g
    e1
    yes
    EAR99
    600V
    100A
    229A
    5.21mm
    26.49mm
    20.5mm
    无铅
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