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首页 全部分类 IXXR100N60B3H1 vs APT50GN60BG

IXXR100N60B3H1备选型号: APT50GN60BG

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • JESD-609代码
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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • JEDEC-95代码
  • 连续集电极电流
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXXR100N60B3H1
    IXYS
    IGBT Transistors XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    600V
    1.5V
    Tube
    GenX3™, XPT™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    150°C
    -55°C
    雪崩 额定
    400W
    SINGLE
    3
    R-PSIP-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    400W
    ISOLATED
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.8V
    145A
    140 ns
    92 ns
    1.8V @ 15V, 70A
    350 ns
    PT
    143nC
    440A
    30ns/120ns
    1.9mJ (on), 2mJ (off)
    20V
    5.5V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APT50GN60BG
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 107A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    600V
    1.5V
    Tube
    -
    1999
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    366W
    -
    3
    R-PSFM-T3
    -
    -
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    107A
    -
    45 ns
    1.85V @ 15V, 50A
    400 ns
    沟渠现场停车
    325nC
    150A
    20ns/230ns
    1185μJ (on), 1565μJ (off)
    30V
    6.5V
    符合RoHS标准
    无铅
    38.000013g
    SILICON
    -55°C~175°C TJ
    e1
    yes
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    600V
    107A
    Single
    TO-247AD
    107A
    5.31mm
    21.46mm
    16.26mm
    无
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