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IXYA50N65C3备选型号: IRG4BC20UD-SPBF
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- 晶体管元件材料
- 终止次数
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- 电压 - 额定直流
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- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
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- 极性/通道类型
- 反向恢复时间
- 接通时间
- 关断时间-标准值（toff)
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
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IGBT 650V 130A 600W TO26328 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB650V2.1V-55°C~175°C TJTubeGenX3™, XPT™2014e3活跃1 (Unlimited)Matte Tin (Sn)600Wnot_compliantSingleStandard600W2.1V130A2.1V @ 15V, 36APT80nC250A22ns/80ns1.3mJ (on), 370μJ (off)ROHS3 Compliant---------------------------
IGBT 600V 13A 60W D2PAK14 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB600V2.1V-55°C~150°C TJTube-2001e3Obsolete1 (Unlimited)Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier60W-SingleStandard-2.1V13A2.1V @ 15V, 6.5A-27nC52A39ns/93ns160μJ (on), 130μJ (off)符合RoHS标准3SILICON2EAR99600V鸥翼26013A30R-PSSO-G260WCOLLECTOR电源控制15nsN-CHANNEL37 ns55 ns320 ns20V6V170ns4.699mm10.668mm9.65mm无SVHC无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STGB10M65DF2 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | STMICROELECTRONICS STGB10M65DF2 IGBT Single Transistor, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-263, 3 Pins | 对比 |
| IRG4BC20UD-SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 13A 60W D2PAK | 对比 |
| IRGS4715DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 650V D2-PAK | 对比 |
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