IXYB82N120C3H1备选型号: APT50GN120L2DQ2G
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- 工厂交货时间
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 连续集电极电流
- IGBT类型
- 辐射硬化
- IGBT 1200V 164A 1040W PLUS26424 Weeks通孔通孔TO-264-3, TO-264AA264SILICON1.2kV2.75V-55°C~150°C TJTubeGenX3™, XPT™2013活跃1 (Unlimited)3EAR99雪崩 额定1.04kW3R-PSIP-T3Single1.04kWCOLLECTORStandard29 ns1040W电源控制N-CHANNEL1.2kV164A420 ns1200V119 ns3.2V @ 15V, 82A295 ns215nC320A29ns/192ns4.95mJ (on), 2.78mJ (off)20V5V26.59mm20.29mm5.31mmROHS3 Compliant无铅---------
- IGBT 1200V 134A 543W TO26429 Weeks通孔通孔TO-264-3, TO-264AA3SILICON1.2kV1.7V-55°C~150°C TJTube-1999活跃1 (Unlimited)3EAR99HIGH RELIABILITY543W3-Single-COLLECTORStandard28 ns-电源控制N-CHANNEL1.2kV134A-1200V55 ns2.1V @ 15V, 50A600 ns315nC150A28ns/320ns4495μJ (off)-6.5V5.21mm26.49mm20.5mm符合RoHS标准无铅10.6ge1yesTin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)1.2kV134A134ANPT, Trench Field Stop无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | APT75GN120LG | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 200A 3-Pin(3 Tab) TO-264 | 对比 |
![]() | APT50GR120L | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | IGBT 1200V 117A 694W TO264 | 对比 |
![]() | IXYK100N120C3 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | IGBT 1200V 188A 1150W TO264 | 对比 |





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