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首页 全部分类 IXYH100N65C3 vs IXXH80N65B4H1

IXYH100N65C3备选型号: IXXH80N65B4H1

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  • IGBT类型
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  • 开关能量
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 功率耗散
  • 反向恢复时间
  • IXYS
    IXYH100N65C3
    IXYS
    IGBT 650V 200A 830W TO247
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    38.000013g
    650V
    1.85V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GenX3™, XPT™
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    830W
    未说明
    未说明
    Single
    Standard
    830W
    2.3V
    200A
    2.3V @ 15V, 70A
    PT
    164nC
    420A
    28ns/106ns
    2.15mJ (on), 840μJ (off)
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • IXYS
    IXXH80N65B4H1
    IXYS
    IGBT Transistors 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    650V
    1.65V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GenX4™, XPT™
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    625W
    -
    -
    Single
    Standard
    -
    2V
    160A
    2V @ 15V, 80A
    PT
    120nC
    430A
    38ns/120ns
    3.77mJ (on), 1.2mJ (off)
    ROHS3 Compliant
    无铅
    625W
    150ns
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