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首页 全部分类 IXYH20N120C3 vs FGA20N120FTDTU

IXYH20N120C3备选型号: FGA20N120FTDTU

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 宽度
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  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 反向恢复时间
  • 最大击穿电压
  • IGBT类型
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXYH20N120C3
    IXYS
    IGBT Transistors GenX3 1200V XPT IGBT
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    1.2kV
    4V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GenX3™, XPT™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    雪崩 额定
    8541.90.00.00
    278W
    未说明
    not_compliant
    未说明
    IXY*20N120
    Single
    278W
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.2kV
    40A
    TO-247AD
    1200V
    60 ns
    3.4V @ 15V, 20A
    220 ns
    53nC
    96A
    20ns/90ns
    1.3mJ (on), 500μJ (off)
    20V
    5V
    21.46mm
    16.26mm
    5.3mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGA20N120FTDTU
    ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 40A 3-Pin(3 Tab) TO-3PN Tube
    11 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    -
    1.2kV
    -
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    8541.29.00.95
    298W
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    Standard
    -
    N-CHANNEL
    1.2kV
    40A
    -
    1200V
    -
    2V @ 15V, 20A
    -
    137nC
    60A
    -
    -
    25V
    7.5V
    18.9mm
    15.8mm
    5mm
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    6.401g
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    30 ns
    298W
    447 ns
    1.2kV
    沟渠现场停车
    无
    无铅
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