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首页 全部分类 IXYH24N90C3D1 vs IRG4PF50WPBF

IXYH24N90C3D1备选型号: IRG4PF50WPBF

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  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
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    IXYH24N90C3D1
    IXYS
    IGBT Transistors 900V 24A 2.7V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    38.000013g
    SILICON
    900V
    2.7V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    GenX3™, XPT™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    雪崩 额定
    200W
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    200W
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.7V
    44A
    340 ns
    TO-247AD
    60 ns
    2.7V @ 15V, 24A
    215 ns
    40nC
    105A
    20ns/73ns
    1.35mJ (on), 400μJ (off)
    20V
    6V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG4PF50WPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 900V 51A 200W TO247AC
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    38.000013g
    SILICON
    900V
    2.25V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2004
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    低导通损耗
    200W
    -
    -
    Dual
    COLLECTOR
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.7V
    51A
    -
    TO-247AC
    54 ns
    2.7V @ 15V, 28A
    370 ns
    160nC
    204A
    29ns/110ns
    190μJ (on), 1.06mJ (off)
    20V
    6V
    ROHS3 Compliant
    3
    通孔
    EAR99
    600V
    SINGLE
    51A
    200W
    29 ns
    26ns
    220ns
    20.3mm
    15.875mm
    5.3mm
    无SVHC
    无
    无铅
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