IXYS IXGH50N90B2D1

工厂交货时间

30 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

质量

6.500007g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

900V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.2V

Number of Elements

1

Test Conditions

720V, 50A, 5 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

350 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HiPerFAST™

已出版

2006

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最大功率耗散

400W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

IXG*50N90

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

400W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

接通延迟时间

20 ns

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

900V

最大集电极电流

75A

反向恢复时间

200ns

JEDEC-95代码

TO-247AD

接通时间

48 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.7V @ 15V, 50A

关断时间-标准值（toff)

820 ns

IGBT类型

PT

闸门收费

135nC

集极脉冲电流（Icm）

200A

Td（开/关）@25°C

20ns/350ns

开关能量

4.7mJ (off)

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅